主页 > 杏彩方案 >
杏彩方案

东芝、 IBM和AMD联合开发了世界上最小的具有高介电/金属栅极的Fi

该存储器单元采用高k /金属栅极(HKMG)材料开发,为平面场效应晶体管(FET)单元带来了技术优势,可用于未来的新技术。 SRAM单元是大多数系统级LSI的电路组件,例如微处理器。较小的SRAM单元区域有助于减小处理器的尺寸,提高处理速度,并降低处理器的功耗。该技术于12月16日在加利福尼亚州旧金山举行的2008年国际电子大会上发表在技术论文中(http://www.his.com/~iedm/general/)。

当使用传统的平面晶体管来构建SRAM单元时,为了减小晶体管尺寸,集成电路制造商通常向器件区域添加更多的杂质以调整它们的特性。然而,这种调整可能导致人们不希望看到的变化,并破坏SRAM的稳定性。这个问题变得越来越重要,这个问题在22nm和更先进的技术节点级别上更加明显。使用FinFET(垂直晶体管加鳍形无掺杂硅通道),它可用于减小SRAM单元的尺寸并减少特性的变化。

东芝、 IBM和AMD联合开发了世界上最小的具有高介电/金属栅极的FinFET SRAM单元

这三家公司的研究人员使用高介电/金属栅极材料制造了大规模的FinFET SRAM单元。这是迄今为止最小的非平面FET SRAM单元,面积仅为0.128 m2;与先前报道的0.274平方米的非平面FET电池相比,这种集成电池面积减少了50%以上。为了实现这一目标,开发团队优化了工艺,特别是在非平面FinFET结构的垂直侧面上沉积材料(包括高介电/金属栅极)以及随后的清洁工艺。

研究人员还研究了这种大规模SRAM单元中FinFET特性的随机变化,并模拟了在较小单元尺寸条件下SRAM单元的变化。他们证实,沟道掺杂的FinFET可以将晶体管特性的变化减少28‰DD?。 063平方米(相当于或超过22纳米技术节点的电池规模水平)。 SRAM单元的结果证明FinFET SRAM单元预期是稳定的。操作方面提供了超过这一代平面FFETRAM单元的显着优点。

上一篇:第一代温控物联网企业将诞生于余杭经济技术开发区
下一篇:上海安超讲述了安装进口安全阀的12条规定